Накопитель SSD Lenovo 800Gb 4XB7A17062
Артикул 100211316
Есть в наличии
Нет в наличии
Доставка с ...
Гарантия 12 месяцев
Товар новый, в заводской упаковке
Срок доставки в рабочих днях
4-6
?
Страна-изготовитель может отличаться, так как производство ведётся в нескольких странах. Это не влияет на качество: все заводы бренда работают по единым стандартам, а продукция проходит строгий контроль.
Страна производитель
Китай
Вес, г (брутто)
300
Габариты, см (брутто)
10/7/2
Все характеристики
Розничная цена
56 900 ₽
Юридическим лицам (НДС 5%)
59 745 ₽
Накопитель SSD Lenovo 800Gb 4XB7A17062
Есть в наличии
56 900 ₽
Тип накопителя **Внутренний серверный твердотельный накопитель (SSD)**
Принадлежность к линейке **Lenovo ThinkSystem Mainstream (Mixed Use)**
Базовая OEM-модель **Samsung PM1645a**
Емкость накопителя **800 ГБ**
Форм-фактор **2.5 дюйма SFF (комплектуется салазками горячей замены Hot-Swap)**
Интерфейс подключения **SAS 12 Гбит/с (двухпортовый, обратная совместимость с SAS 6 Гбит/с)**
Тип микросхем памяти **3D V-NAND TLC (Samsung)**
Максимальная скорость последовательного чтения **1000 МБ/с**
Максимальная скорость последовательной записи **1000 МБ/с**
Скорость произвольного чтения (блоки 4 КБ) **230000 IOPS**
Скорость произвольной записи (блоки 4 КБ) **90000 IOPS**
Класс выносливости (интенсивность нагрузок) **Mainstream / Mixed Use (смешанные нагрузки чтения и записи)**
Ресурс перезаписи в день (DWPD) **3 перезаписи полного объема накопителя в день в течение 5 лет**
Время наработки на отказ (MTBF) **2 000 000 часов**
Типичное энергопотребление (чтение/запись) **9 Вт / 9 Вт**
Технологии аппаратной надежности **Сквозная защита данных от ошибок (End-to-End Data Protection), усовершенствованная архитектура защиты от внезапной потери питания (Enhanced Power Loss Data Protection)**
Принадлежность к линейке **Lenovo ThinkSystem Mainstream (Mixed Use)**
Базовая OEM-модель **Samsung PM1645a**
Емкость накопителя **800 ГБ**
Форм-фактор **2.5 дюйма SFF (комплектуется салазками горячей замены Hot-Swap)**
Интерфейс подключения **SAS 12 Гбит/с (двухпортовый, обратная совместимость с SAS 6 Гбит/с)**
Тип микросхем памяти **3D V-NAND TLC (Samsung)**
Максимальная скорость последовательного чтения **1000 МБ/с**
Максимальная скорость последовательной записи **1000 МБ/с**
Скорость произвольного чтения (блоки 4 КБ) **230000 IOPS**
Скорость произвольной записи (блоки 4 КБ) **90000 IOPS**
Класс выносливости (интенсивность нагрузок) **Mainstream / Mixed Use (смешанные нагрузки чтения и записи)**
Ресурс перезаписи в день (DWPD) **3 перезаписи полного объема накопителя в день в течение 5 лет**
Время наработки на отказ (MTBF) **2 000 000 часов**
Типичное энергопотребление (чтение/запись) **9 Вт / 9 Вт**
Технологии аппаратной надежности **Сквозная защита данных от ошибок (End-to-End Data Protection), усовершенствованная архитектура защиты от внезапной потери питания (Enhanced Power Loss Data Protection)**